一種帶有刻蝕保護層的金剛石基氮化鎵器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210151050.4 申請日 -
公開(公告)號 CN114551239A 公開(公告)日 2022-05-27
申請公布號 CN114551239A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L21/335(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林長志;陳興;王東;吳勇;黃永;陳瑤;李彥佐;邱慧嫣;謝雨峰 申請(專利權(quán))人 西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院
代理機構(gòu) 蕪湖思誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)文津西路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種帶有刻蝕保護層的金剛石基氮化鎵器件的制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,通過上述方法獲得了器件,該器件包括金剛石襯底、第一襯底、低溫氮化鎵成核層、氮化鎵緩沖層、氮化鎵溝道層、鋁鎵氮勢壘層、漏電極、源電極、柵電極、介質(zhì)層和保護層,本發(fā)明可以有效解決刻蝕氮化鎵帶來的損傷,還可以改善金剛石與氮化鎵之間的應(yīng)力問題。以提升氮化鎵功率器件散熱能力。