一種帶有刻蝕保護層的金剛石基氮化鎵器件的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210151050.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114551239A | 公開(公告)日 | 2022-05-27 |
申請公布號 | CN114551239A | 申請公布日 | 2022-05-27 |
分類號 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 林長志;陳興;王東;吳勇;黃永;陳瑤;李彥佐;邱慧嫣;謝雨峰 | 申請(專利權(quán))人 | 西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院 |
代理機構(gòu) | 蕪湖思誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)文津西路8號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種帶有刻蝕保護層的金剛石基氮化鎵器件的制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,通過上述方法獲得了器件,該器件包括金剛石襯底、第一襯底、低溫氮化鎵成核層、氮化鎵緩沖層、氮化鎵溝道層、鋁鎵氮勢壘層、漏電極、源電極、柵電極、介質(zhì)層和保護層,本發(fā)明可以有效解決刻蝕氮化鎵帶來的損傷,還可以改善金剛石與氮化鎵之間的應(yīng)力問題。以提升氮化鎵功率器件散熱能力。 |
