一種光取出層材料及其應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811132267.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109111411B 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN109111411B 申請公布日 2022-06-14
分類號 C07D285/12（2006.01）I;C07D417/10（2006.01）I;C07D417/14（2006.01）I;C07D271/107（2006.01）I;C07D413/10（2006.01）I;C07D413/14（2006.01）I;C07D417/04（2006.01）I;C07D413/04（2006.01）I;C09K11/06（2006.01）I;H01L51/50（2006.01）I;H01L51/54（2006.01）I 分類 有機化學〔2〕;
發(fā)明人 穆廣園;莊少卿;任春婷 申請（專利權(quán)）人 武漢尚賽光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 436070 湖北省鄂州市葛店開發(fā)區(qū)1#創(chuàng)業(yè)服務中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明以對稱的1,3,4?噻/噁二唑為核心基團，在其2,5位橋接電子云密度較大的剛性基團，形成一類具有高折射率的化合物。該化合物作為光取出層材料覆蓋于陰極之上對器件進行修飾，進一步改善了由于全反射、光波導效應等造成的光在器件內(nèi)部的損耗，避免熱量積累造成的器件壽命和穩(wěn)定性的下降，提高光取出效率。