集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的GaNHEMT器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110425872.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113113484A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN113113484A 申請(qǐng)公布日 2021-07-13
分類(lèi)號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪煒江 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 安徽芯塔電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鐘雪
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)蕪湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園3號(hào)樓1804
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種集成柵保護(hù)結(jié)構(gòu)的GaN HEMT器件，器件包括：GaNHEMT，所述GaN HEMT包括源極、柵極及漏極，在柵極和源極之間設(shè)置有柵保護(hù)結(jié)構(gòu)，柵保護(hù)結(jié)構(gòu)在柵極與源極間的正向電壓大于允許的最大正向電壓時(shí)或反向電壓的絕對(duì)值大于允許的最大反向電壓的絕對(duì)值時(shí)擊穿并導(dǎo)通。集成柵極保護(hù)結(jié)構(gòu)的GaN HEMT器件，利用在芯片上集成柵的保護(hù)結(jié)構(gòu)，當(dāng)器件的柵極電壓超過(guò)最大允許電壓時(shí)，柵保護(hù)結(jié)構(gòu)擊穿導(dǎo)通，柵源電壓維持在設(shè)置的最大電壓，實(shí)現(xiàn)了對(duì)柵介質(zhì)的保護(hù)，提高器件應(yīng)用的可靠性。