一種集成門極吸收電路的功率半導體模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021522866.6 申請日 -
公開（公告）號 CN212750884U 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號 CN212750884U 申請公布日 2021-03-19
分類號 H01L23/49(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱楠;向禮;辛紀元 申請（專利權(quán)）人 致瞻科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 肖冰濱;劉兵
地址 201315上海市浦東新區(qū)秀浦路68號1棟東區(qū)207室.208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種集成門極吸收電路的功率半導體模塊，屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域。所述功率半導體模塊包括：基板；硅芯片，包括通過硅電容器技術(shù)連接的門極吸收電容和阻尼電阻，所述硅芯片的背面端子設(shè)置于所述基板上；功率半導體芯片，包括多個門極端子；第一引線，所述第一引線的一端與所述硅芯片的正面端子連接，所述第一引線的另一端與所述功率半導體芯片的一個門極端子連接；以及第二引線，所述第二引線的一端與所述硅芯片的背面端子連接，所述第二引線的另一端與所述功率半導體芯片的另一個門極端子連接。該功率半導體模塊在滿足濾除開關(guān)過程中門極電壓波形的震蕩和尖峰的需求的情況下降低了系統(tǒng)的設(shè)計體積。??