方便CSP焊接的側壁電極增大制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811250526.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111106015A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN111106015A 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01L21/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅雪方;陳文娟;瞿澄;薛水源;羅子杰 申請（專利權）人 江蘇羅化新材料有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 226300 江蘇省南通市高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)青島路180號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種方便CSP焊接的側壁電極增大制作工藝，包括：將芯片排列成矩陣結構，所述芯片的電極朝上；將白墻膜與芯片進行熱壓，定高后放置到氮氣烤箱中進行烘烤；對芯片的電極表面的白墻膜進行鉆孔，對鉆孔后的電極表面進行金屬沉積外延生長處理，生長方式為磁控濺射、電鍍，電鑄或者化學鍍中的一種或多種；將熒光膜熱壓到芯片的出光面上并在控制厚度后，將帶有熒光膜的工件放置到氮氣烤箱中進行烘烤；使用鉆石切割刀或者樹脂切割刀切割上述工件得到CSP燈珠。本發(fā)明采用金屬沉積外延生長的方式對芯片的電極進行延伸擴大，有效解決了的倒裝芯片中因電極尺寸小而導致的不易貼片和焊接的問題。