一種超低介質(zhì)損耗的聚酰亞胺薄膜

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810047784.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109648970B 公開（公告）日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN109648970B 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類號(hào) B32B27/28;B32B27/18;B32B27/08;C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 分類 -
發(fā)明人 李磊;袁舜齊;何志斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳瑞華泰薄膜科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京精金石知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳瑞華泰薄膜科技股份有限公司
地址 518105 廣東省深圳市寶安區(qū)松崗街道辦華美工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種可直接與銅箔粘合的，超低介質(zhì)損耗的聚酰亞胺薄膜及其制備方法，該聚酰亞胺薄膜由一層芯層和一層表層構(gòu)成，或者由兩層表層中間夾一層芯層構(gòu)成，所述聚酰亞胺薄膜在10GHz測(cè)試頻率下的介質(zhì)損耗因數(shù)為0.0030～0.0060，介電常數(shù)＜3.0。