一種絕緣層上硅總劑量效應(yīng)版圖加固技術(shù)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711358096.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109935626A 公開(kāi)（公告）日 2019-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN109935626A 申請(qǐng)公布日 2019-06-25
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I; H01L29/417（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉森 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 微龕（北京）半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地信息路26號(hào)01層0112-194室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種絕緣層上硅總劑量效應(yīng)版圖加固技術(shù)，包括：設(shè)計(jì)出SOI晶體管的總劑量效應(yīng)加固版圖；加固時(shí)，將SOI工藝體引出與晶體管有源區(qū)之間的隔離氧化硅(埋孔)布置在晶體管的版圖四周；埋孔的外圍布置上四條體引出，并用金屬互聯(lián)環(huán)繞。由于埋孔比淺槽隔離淺，進(jìn)而Si/SiO2界面會(huì)減少；另一方面體引出也會(huì)穩(wěn)定有源區(qū)電勢(shì)，屏蔽襯底Si/SiO2界面對(duì)晶體管溝道的影響，最終實(shí)現(xiàn)對(duì)總劑量效應(yīng)的加固。