一種測(cè)量單粒子效應(yīng)引起的寄生雙極型晶體管效應(yīng)放大系數(shù)的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710529341.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109212398A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-01-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109212398A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-15 |
| 分類號(hào) | G01R31/26 | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 劉森;張陽(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 微龕（北京）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100085 北京市海淀區(qū)上地信息路26號(hào)01層0112-194室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出了一種測(cè)量單粒子效應(yīng)引起的寄生雙極型晶體管放大系數(shù)的方法，包括：設(shè)計(jì)出測(cè)量晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)；測(cè)量時(shí)，將待測(cè)晶片放入設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)裝置，利用帶孔金屬擋板確定轟擊位置，激光束通過(guò)密封的激光罩引入真空艙，且激光罩可以控制粒子入射方向；所有晶體管源區(qū)、漏區(qū)和柵極通過(guò)金屬布線引出連接到金屬接觸板(PAD)，通過(guò)銅線焊接到真空倉(cāng)外接插口；漏區(qū)上方有“+”標(biāo)志，用于與帶孔鉛擋板對(duì)準(zhǔn)，確定粒子入射位置。當(dāng)單個(gè)高能粒子轟擊晶體管漏區(qū)時(shí)，晶體管源端、漏端、正柵和背柵通過(guò)連接出口外接偏置電壓(對(duì)N型晶體管，源端和正柵接地，漏端接電源電壓，背柵接負(fù)電壓；對(duì)P型晶體管，源端和正柵接電源電壓，漏端接地，背柵接正電壓)，漏端電流通過(guò)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀被測(cè)量。放大系數(shù)由公式β＝ID_max(VBG＝0V)/ID_max(VBG＝0V)?1進(jìn)行提取。 |
