一種測量單粒子效應(yīng)引起的寄生雙極型晶體管效應(yīng)放大系數(shù)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710529341.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109212398A 公開（公告）日 2019-01-15
申請公布號 CN109212398A 申請公布日 2019-01-15
分類號 G01R31/26 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉森;張陽 申請（專利權(quán)）人 微龕（北京）半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地信息路26號01層0112-194室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種測量單粒子效應(yīng)引起的寄生雙極型晶體管放大系數(shù)的方法，包括：設(shè)計出測量晶體管的測試結(jié)構(gòu)；測量時，將待測晶片放入設(shè)計的實驗裝置，利用帶孔金屬擋板確定轟擊位置，激光束通過密封的激光罩引入真空艙，且激光罩可以控制粒子入射方向；所有晶體管源區(qū)、漏區(qū)和柵極通過金屬布線引出連接到金屬接觸板(PAD)，通過銅線焊接到真空倉外接插口；漏區(qū)上方有“+”標志，用于與帶孔鉛擋板對準，確定粒子入射位置。當單個高能粒子轟擊晶體管漏區(qū)時，晶體管源端、漏端、正柵和背柵通過連接出口外接偏置電壓(對N型晶體管，源端和正柵接地，漏端接電源電壓，背柵接負電壓；對P型晶體管，源端和正柵接電源電壓，漏端接地，背柵接正電壓)，漏端電流通過半導(dǎo)體參數(shù)分析儀被測量。放大系數(shù)由公式β＝ID_max(VBG＝0V)/ID_max(VBG＝0V)?1進行提取。