一種采用冷噴涂制備抗輻照鉭涂層的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010143434.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111235562B 公開（公告）日 2022-01-14
申請公布號 CN111235562B 申請公布日 2022-01-14
分類號 C23C24/04 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 熊天英;趙鶴然;唐俊榕;杜昊;王吉強;劉晗琿;沈艷芳;楊穎;毛天亮 申請（專利權(quán)）人 中國電子科技集團公司第四十七研究所
代理機構(gòu) 沈陽優(yōu)普達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 張志偉
地址 110016 遼寧省沈陽市沈河區(qū)文化路72號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于防護涂層制備領(lǐng)域，具體涉及一種采用冷噴涂制備抗輻照鉭涂層的方法。該方法包括以下步驟：（1）采用冷氣動力噴涂技術(shù)，將Al或Ti金屬粉末噴涂到器件基體表面，形成金屬打底涂層；（2）采用冷氣動力噴涂技術(shù)，將純Ta粉噴涂到打底涂層上，形成Ta涂層。本發(fā)明有效地避免了制備鉭涂層需要的高溫條件，以及由此帶來的氧化等性能降低問題。本發(fā)明采用冷噴涂制備抗輻照鉭涂層，可以用于電子封裝器件外表面的抗輻照防護。