抗總劑量效應(yīng)的MOS場效應(yīng)管
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811440768.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109585531B | 公開(公告)日 | 2022-03-15 |
申請公布號 | CN109585531B | 申請公布日 | 2022-03-15 |
分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉淼;康曉峰 | 申請(專利權(quán))人 | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所 |
代理機構(gòu) | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 于曉波 |
地址 | 110032遼寧省沈陽市皇姑區(qū)陵園街20號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種抗總劑量效應(yīng)的MOS場效應(yīng)管,屬于MOS場效應(yīng)管的設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。該場效應(yīng)管在源區(qū)和漏區(qū)的邊緣使用多晶硅環(huán)繞源區(qū)和漏區(qū)兩極,同時多晶硅覆蓋有源區(qū)的邊緣形成的蝴蝶柵形結(jié)構(gòu),因為P管不存在邊緣寄生晶體管反型的問題,所以只對N管采用蝴蝶柵結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)能夠減少總劑量輻射下的MOS器件的SiO2中產(chǎn)生的輻射感生陷阱電荷和在Si/SiO2界面產(chǎn)生輻射感生界面態(tài)。從而減少MOS器件閾值電壓漂移,防止溝道載流子遷移率降低,防止漏電流增加。該蝴蝶柵形結(jié)構(gòu)能夠完全消除輻射感生邊緣寄生晶體管效應(yīng),并且與商用工藝相兼容,使用該方法設(shè)計的集成電路,能夠在整體上具有抗總劑量效應(yīng)的功能。 |
