氮化鎵基功率器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810012666.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109411580B 公開（公告）日 2020-04-24
申請公布號 CN109411580B 申請公布日 2020-04-24
分類號 H01L33/12;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李丹丹 申請（專利權(quán)）人 深圳英嘉通半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥市科融知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李丹丹;深圳英嘉通半導(dǎo)體有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新區(qū)南六道8號航盛科技大廈20層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種氮化鎵基功率器件及其制備方法，所述功率器件包括襯底以及依次沉積在所述襯底上的緩沖層、電子提供層、發(fā)光層、空穴提供層；所述襯底包括藍(lán)寶石基板和在所述藍(lán)寶石基板上形成的圓錐形圖襯；所述緩沖層厚度小于圓錐形圖襯頂部距離藍(lán)寶石基板上表面的距離；所述電子提供層包括依次沉積在所述緩沖層上的本征層，摻雜層；本征層包括以縱向模式沉積的第一本征層和以橫向模式沉積的第二本征層，第一本征層厚度和緩沖層厚度之和等于圓錐形圖襯頂部距離藍(lán)寶石基板上表面的距離。本發(fā)明提供的氮化鎵基功率器件應(yīng)力小，位錯密度低，結(jié)晶質(zhì)量高。