一種外延硅片的預(yù)處理方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010381771.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111554566A | 公開（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111554566A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-18 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 康宏;王作義;石廣寧;雒林生;何傳奇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 唐邦英 |
| 地址 | 629000四川省遂寧市國開區(qū)玉龍路598號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種外延硅片的預(yù)處理方法，包括以下步驟：1)、臭氧發(fā)生：空氣依次經(jīng)過空氣壓縮機(jī)和臭氧發(fā)生機(jī)產(chǎn)生臭氧；2)、臭氧前處理：將臭氧發(fā)生機(jī)產(chǎn)生的臭氧通過第一進(jìn)氣管通入鼓泡瓶中的去離子水中，臭氧在鼓泡瓶進(jìn)行溫度和濃度調(diào)節(jié)；3)、臭氧氧化：經(jīng)過前處理的臭氧通過排氣管上的噴射裝置噴射在外延硅片的表面進(jìn)行氧化處理，在外延硅片的表面形成均勻的鈍化層，所述臭氧在噴射之前進(jìn)行流量控制。本發(fā)明解決了采用雙氧水浸泡方式導(dǎo)致鈍化層均勻性較差的問題，同時(shí)本發(fā)明具有操作難度低和工作量小的優(yōu)點(diǎn)。?? |
