一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721177335.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN207097834U | 公開（公告）日 | 2018-03-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207097834U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/872;H01L29/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王作義;康宏;馬洪文;胡寶平;陳小鐸;崔永明;卞小玉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭受剛 |
| 地址 | 629000 四川省遂寧市國(guó)開區(qū)玉龍路598號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管，包括由上至下依次設(shè)置的陽極金屬層、N?外延層、N型基片、N+陰極層和陰極金屬層，在陽極金屬層與N?外延層接觸的一端的四周設(shè)置有二氧化硅層，二極管的陽極設(shè)置在陽極金屬層端，二極管的陰極設(shè)置在陰極金屬層端，N?外延層向陽極金屬層側(cè)和/或N型基片側(cè)外凸構(gòu)成有凸起。本實(shí)用新型通過增加N?外延層的表面積，降低N?外延層的電阻值，這樣就能保證N?外延層中的移動(dòng)電子的數(shù)量，同時(shí)又能保證肖特基二極管的開關(guān)性能。 |
