絕緣柵雙極型晶體管的硅外延片生產工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711099661.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107845570B 公開（公告）日 2019-02-12
申請公布號 CN107845570B 申請公布日 2019-02-12
分類號 H01L21/02;H01L21/223 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王作義;康宏;馬洪文;胡寶平;陳小鐸;崔永明;卞小玉 申請（專利權）人 四川廣瑞半導體有限公司
代理機構 成都行之專利代理事務所（普通合伙） 代理人 郭受剛
地址 629000 四川省遂寧市國開區(qū)玉龍路598號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了絕緣柵雙極型晶體管的硅外延片生產工藝，包括依次進行的以下步驟：步驟一、將硅襯底材料采用純水清洗后放入反應器內；步驟二、采用氫氣作為載流氣體排出反應器內的空氣；步驟三、將反應器內部升溫至1160～1180℃，再采用HCL刻蝕3～4min，然后將反應器內部的HCL排除；步驟四、將反應器內部的溫度降至1130～1140℃的生長溫度；步驟五、向反應器內通入由氫氣和四氯化硅氣體混合構成的反應氣體，使得硅襯底表面生成硅單晶層，得到硅外延片；步驟六、停止向反應器內通入反應氣體，待反應器內部降至室溫時，向反應器內通入氮氣3～4min；步驟七、打開反應器取出硅外延片。本發(fā)明整體工藝簡單，便于實現(xiàn)，成本低，且應用時能減小N+/P+交界面處過渡區(qū)的寬度。