8英寸功率芯片的硅外延片生產(chǎn)工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711097978.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107699944B 公開（公告）日 2018-12-18
申請公布號 CN107699944B 申請公布日 2018-12-18
分類號 C30B25/20;C30B25/08;C30B25/14;C30B25/10;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王作義;康宏;馬洪文;胡寶平;陳小鐸;崔永明;卞小玉 申請（專利權(quán)）人 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭受剛
地址 629000 四川省遂寧市國開區(qū)玉龍路598號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了8英寸功率芯片的硅外延片生產(chǎn)工藝，包括依次進(jìn)行的以下步驟：步驟一、將硅襯底材料采用純水清洗后放入反應(yīng)器內(nèi)；步驟二、采用氫氣作為載流氣體排出反應(yīng)器內(nèi)的空氣；步驟三、將反應(yīng)器內(nèi)部升溫至1160～1180℃，再采用HCL刻蝕3～4min，然后將反應(yīng)器內(nèi)部的HCL排除；步驟四、將反應(yīng)器內(nèi)部的溫度降至1020～1030℃的生長溫度；步驟五、向反應(yīng)器內(nèi)通入硅烷和摻雜劑，使得硅襯底表面生成硅單晶層，得到硅外延片；步驟六、停止向反應(yīng)器內(nèi)通入反應(yīng)氣體，待反應(yīng)器內(nèi)部降至室溫時，向反應(yīng)器內(nèi)通入氮氣3～4min；步驟七、打開反應(yīng)器取出硅外延片。本發(fā)明整體工藝簡單，便于實現(xiàn)，成本低，且應(yīng)用時能提升生產(chǎn)的硅外延片電阻率均勻一致性。