金氧半場(chǎng)效晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721180712.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN207097832U | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-03-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN207097832U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-03-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/78;H01L29/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王作義;康宏;馬洪文;胡寶平;陳小鐸;崔永明;卞小玉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭受剛 |
| 地址 | 629000 四川省遂寧市國(guó)開(kāi)區(qū)玉龍路598號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了金氧半場(chǎng)效晶體管，包括柵極、源極、漏極、二氧化硅絕緣層、兩個(gè)N區(qū)、一個(gè)P區(qū)、外延片，源極穿過(guò)其中一個(gè)N區(qū)上側(cè)的二氧化硅絕緣層與下側(cè)的N區(qū)連通；漏極穿過(guò)另外一個(gè)N區(qū)上側(cè)的二氧化硅絕緣層與下側(cè)的N區(qū)連通；在二氧化硅絕緣層與P區(qū)接觸的表面之間形成的空腔中還設(shè)置有一個(gè)外延片，二氧化硅絕緣層在空腔中的表面向下突出形成一個(gè)等腰梯形臺(tái)面，P區(qū)在空腔中的表面向下凹陷形成凹槽，形成的凹槽的表面積大于形成的等腰梯形臺(tái)面的表面積；外延片與空腔形狀相適應(yīng)。本實(shí)用新型減小外延片的使用面積，使外延片僅僅限制在P區(qū)與二氧化硅絕緣層接觸的表面上，節(jié)約外延片的材料投入，提高外延片的有效使用面積。 |
