硅8英寸大功率元器件外延片制備工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010381767.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111554565A | 公開（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111554565A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-18 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 康宏;王作義;雒林生;石廣寧;韓立瓊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 唐邦英 |
| 地址 | 629000四川省遂寧市國(guó)開區(qū)玉龍路598號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了硅8英寸大功率元器件外延片制備工藝，包括以下步驟：1)、選擇襯底片：采用重?fù)脚鸹蛑負(fù)缴橐r底片，所述襯底片為P型摻雜；2)、襯底片拋光：采用HCl進(jìn)行氣相拋光；3)、氣流吹掃：襯底片拋光后采用H2進(jìn)行吹掃；4)、外延生長(zhǎng)：硅源用SiHCl3，先進(jìn)行反型外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為1080?1100℃，生長(zhǎng)速率為0.8?1.0um/min，再進(jìn)行雙層外延生長(zhǎng)，生長(zhǎng)溫度為1120?1150℃，生長(zhǎng)速率為1.2?1.6um/min；所述硅源與襯底片接觸之前先進(jìn)行恒溫預(yù)熱處理；5)、外延生長(zhǎng)完成后反應(yīng)爐降溫，取片。本發(fā)明所述制備工藝通過合理控制參數(shù)，提高了硅外延片厚度均勻性、電阻率均勻性。?? |
