硅8英寸大功率元器件制備用外延爐
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020747761.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212077201U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212077201U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-04 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/06(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王作義;康宏;卞小玉;韓立瓊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都行之專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 唐邦英 |
| 地址 | 629000四川省遂寧市國(guó)開(kāi)區(qū)玉龍路598號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了硅8英寸大功率元器件制備用外延爐，包括配套的爐體和爐蓋，所述爐體內(nèi)設(shè)置有石墨基座，所述爐體的底部設(shè)置有加熱結(jié)構(gòu)，所述石墨基座設(shè)置在加熱結(jié)構(gòu)上方，還包括進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管一端伸入爐體內(nèi)，所述進(jìn)氣管在爐體內(nèi)的端部設(shè)置有緩沖室，所述緩沖室的上端與進(jìn)氣管連通，下端與向內(nèi)收縮形成封閉凸起，所述封閉凸起通過(guò)連通管與氣源注入器連通，所述氣源注入器設(shè)置在石墨基座上方，所述緩沖室采用導(dǎo)熱材料制成。采用該外延爐進(jìn)行外延生長(zhǎng)能夠提高襯底晶片受熱溫度的均勻性。?? |
