絕緣柵雙極型晶體管的硅外延片生產(chǎn)工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711099661.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107845570A 公開(kāi)（公告）日 2018-03-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN107845570A 申請(qǐng)公布日 2018-03-27
分類號(hào) H01L21/02;H01L21/223 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王作義;康宏;馬洪文;胡寶平;陳小鐸;崔永明;卞小玉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川廣瑞半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都行之專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭受剛
地址 629000 四川省遂寧市國(guó)開(kāi)區(qū)玉龍路598號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心4011號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了絕緣柵雙極型晶體管的硅外延片生產(chǎn)工藝，包括依次進(jìn)行的以下步驟：步驟一、將硅襯底材料采用純水清洗后放入反應(yīng)器內(nèi)；步驟二、采用氫氣作為載流氣體排出反應(yīng)器內(nèi)的空氣；步驟三、將反應(yīng)器內(nèi)部升溫至1160～1180℃，再采用HCL刻蝕3～4min，然后將反應(yīng)器內(nèi)部的HCL排除；步驟四、將反應(yīng)器內(nèi)部的溫度降至1130～1140℃的生長(zhǎng)溫度；步驟五、向反應(yīng)器內(nèi)通入由氫氣和四氯化硅氣體混合構(gòu)成的反應(yīng)氣體，使得硅襯底表面生成硅單晶層，得到硅外延片；步驟六、停止向反應(yīng)器內(nèi)通入反應(yīng)氣體，待反應(yīng)器內(nèi)部降至室溫時(shí)，向反應(yīng)器內(nèi)通入氮?dú)?～4min；步驟七、打開(kāi)反應(yīng)器取出硅外延片。本發(fā)明整體工藝簡(jiǎn)單，便于實(shí)現(xiàn)，成本低，且應(yīng)用時(shí)能減小N+/P+交界面處過(guò)渡區(qū)的寬度。