一種具有圍壩的封裝結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011235681.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112103195B 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN112103195B 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/52（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳先明;黃本霞;馮磊;王聞師;趙江江;高峻 申請（專利權）人 珠海越亞半導體股份有限公司
代理機構 北京風雅頌專利代理有限公司 代理人 李翔;鮑勝如
地址 519175廣東省珠海市斗門區(qū)珠峰大道北3209號FPC廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有圍壩的封裝結構的制造方法，包括如下步驟：準備臨時承載板，并在臨時承載板上制備介電層，介電層內設置有第一布線層及位于第一布線層上表面的導通柱；在介電層外表面制備第二布線層，第二布線層與第一布線層通過導通柱導通連接；移除臨時承載板，并在介電層的上下表面上分別形成第一阻焊層和第二阻焊層；在第一阻焊層外表面制作圍壩；對第一阻焊層和第二阻焊層分別進行金屬表面處理；在第一阻焊層外表面貼裝器件，其中器件的端子與第二布線層連接，層壓封裝材料形成封裝層以包覆圍壩和器件。還公開了一種具有圍壩的封裝結構，包括圍壩和設置在所述圍壩圍成的空間內的器件。