一種半導(dǎo)體器件封裝及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911194932.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110943001A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN110943001A 申請(qǐng)公布日 2021-06-08
分類(lèi)號(hào) H01L21/56;H01L23/00;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367;F16L59/02 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中義（北京）健康研究院
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 221000 江蘇省徐州市金山東路北側(cè)中國(guó)礦業(yè)大學(xué)國(guó)家大學(xué)科技園泉山科技樓209室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件封裝及其制備方法，該方法包括以下步驟：在第一、第二高導(dǎo)熱基底的上表面均形成多個(gè)凹腔；在每個(gè)所述凹腔中均設(shè)置一高散熱型芯片，在所述第一、第二高導(dǎo)熱基底的上表面設(shè)置一層或多層熱阻層；在所述第一高導(dǎo)熱基底上表面的熱阻層上沉積形成導(dǎo)電布線(xiàn)層，在所述導(dǎo)電布線(xiàn)層上形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并在所述導(dǎo)電布線(xiàn)層上設(shè)置多個(gè)低散熱型芯片；接著在每個(gè)所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上設(shè)置焊料，接著將所述第二高導(dǎo)熱基底置于所述第一高導(dǎo)熱基底上，使得每個(gè)所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二高導(dǎo)熱基底的凹腔中的高散熱型芯片電連接，接著通過(guò)模塑工藝形成一封裝層，最后，減薄所述第一高導(dǎo)熱基底以及所述第二高導(dǎo)熱基底。