一種半導(dǎo)體器件封裝及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911194932.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110943001B 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN110943001B 申請公布日 2021-06-08
分類號 H01L21/56;H01L23/00;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367;F16L59/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請（專利權(quán)）人 中義（北京）健康研究院
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 盧華強
地址 101500 北京市密云區(qū)興盛南路8號院2號樓106室-566（商務(wù)中心集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件封裝及其制備方法，該方法包括以下步驟：在第一、第二高導(dǎo)熱基底的上表面均形成多個凹腔；在每個所述凹腔中均設(shè)置一高散熱型芯片，在所述第一、第二高導(dǎo)熱基底的上表面設(shè)置一層或多層熱阻層；在所述第一高導(dǎo)熱基底上表面的熱阻層上沉積形成導(dǎo)電布線層，在所述導(dǎo)電布線層上形成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，并在所述導(dǎo)電布線層上設(shè)置多個低散熱型芯片；接著在每個所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上設(shè)置焊料，接著將所述第二高導(dǎo)熱基底置于所述第一高導(dǎo)熱基底上，使得每個所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二高導(dǎo)熱基底的凹腔中的高散熱型芯片電連接，接著通過模塑工藝形成一封裝層，最后，減薄所述第一高導(dǎo)熱基底以及所述第二高導(dǎo)熱基底。