高壓放電電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022764844.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213521657U 公開（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN213521657U 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類號(hào) H02M1/08（2006.01）I;H02M1/14（2006.01）I;H02H3/08（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 曾濤;嚴(yán)明;李永剛;王毅;曹蓉;彭豐;孫騰飛;劉志科 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都燎原星光電子有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 成都弘毅天承知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郝迎賓
地址 610100四川省成都市龍泉驛區(qū)星光東路68號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及高壓放電技術(shù)，提出了一種高壓放電電路。本實(shí)用新型解決了目前高壓放電裝置體積大、功率損耗高以及響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)的問題，本實(shí)用新型可概括為：微控制器模塊接收到觸發(fā)信號(hào)一后開通MOS管一，接收到觸發(fā)信號(hào)二后開通MOS管二，然后使MOS管三工作在高頻開關(guān)狀態(tài)下讓升壓變壓器一變壓后對(duì)電容一充電，以及開通MOS管四為電容二充電，然后接收到觸發(fā)信號(hào)三后開通可控硅，可控硅開通后電容二的電壓經(jīng)升壓變壓器二變壓后去觸發(fā)觸發(fā)管，觸發(fā)管導(dǎo)通后使電容一對(duì)后級(jí)電路放電。有益效果是：本實(shí)用新型使得高壓放電裝置的體積小、功率損耗低，并且響應(yīng)時(shí)間較短。本實(shí)用新型特別適用于雷管引爆、脈沖激光器、武器點(diǎn)火等設(shè)備。