高壓放電電路及高壓放電電路控制方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011335213.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112332677A | 公開（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申請公布號 | CN112332677A | 申請公布日 | 2021-02-05 |
| 分類號 | H02M3/335(2006.01)I; | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 曾濤;嚴(yán)明;李永剛;王毅;曹蓉;彭豐;孫騰飛;劉志科 | 申請（專利權(quán)）人 | 成都燎原星光電子有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郝迎賓 |
| 地址 | 610100四川省成都市龍泉驛區(qū)星光東路68號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及高壓放電技術(shù)，提出了一種高壓放電電路及高壓放電電路控制方法。本發(fā)明解決了目前高壓放電裝置體積大、功率損耗高以及響應(yīng)時(shí)間長的問題，主要技術(shù)方案包括：微控制器模塊接收到觸發(fā)信號一后開通MOS管一，接收到觸發(fā)信號二后開通MOS管二，然后使MOS管三工作在高頻開關(guān)狀態(tài)下讓升壓變壓器一變壓后對電容一充電，以及開通MOS管四為電容二充電，然后接收到觸發(fā)信號三后開通可控硅，可控硅開通后電容二的電壓經(jīng)升壓變壓器二變壓后去觸發(fā)觸發(fā)管，觸發(fā)管導(dǎo)通后使電容一對后級電路放電。本發(fā)明使得高壓放電裝置的體積小、功率損耗低，并且響應(yīng)時(shí)間較短。本發(fā)明特別適用于雷管引爆、脈沖激光器、武器點(diǎn)火等設(shè)備。?? |
