一種MEMS芯片及其制作方法、MEMS麥克風(fēng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110273355.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112678764B 公開（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112678764B 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;H04R19/00（2006.01）I;H04R19/04（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東新港電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濰坊中潤(rùn)泰專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田友亮
地址 261200山東省濰坊市坊子區(qū)正泰路1369號(hào)7號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MEMS芯片及其制作方法、MEMS麥克風(fēng)。其中，所述MEMS芯片主要包括：振膜、與振膜相對(duì)設(shè)置的背極以及二者之間的振動(dòng)間隙；所述振膜、所述背極及所述振動(dòng)間隙形成電容器結(jié)構(gòu)；所述振膜、所述背極的部分表面設(shè)有XeF2阻隔層，所述振動(dòng)間隙通過XeF2干法化學(xué)腐蝕的方法釋放多晶硅犧牲層形成。本發(fā)明采用的XeF2干法化學(xué)各向同性腐蝕方法，與常見的濕法腐蝕和干法物理刻蝕相比，具有工藝簡(jiǎn)單、選擇比高、無離子轟擊和無結(jié)構(gòu)粘附等優(yōu)點(diǎn)，有利于減少M(fèi)EMS芯片在加工過程中的損傷，提高M(jìn)EMS芯片的成品率和可靠性。