NFTL算法適配NANDFlash的方法、存儲設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011638088.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112765050A 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN112765050A 申請公布日 2021-05-07
分類號 G06F12/06(2006.01)I;G06F12/1009(2016.01)I 分類 -
發(fā)明人 王志奇;何欣霖;何衛(wèi)國 申請（專利權(quán)）人 成都三零嘉微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 賈年龍
地址 610041四川省成都市高新區(qū)云華路333號國家西部信息安全產(chǎn)業(yè)園94-99號信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了NFTL算法適配NANDFlash的方法、存儲設(shè)備，包括步驟：將寫入NANDFlash的物理地址與NFTL算法計(jì)算得到的地址進(jìn)行重映射，完成數(shù)據(jù)寫入到NANDFlash的地址是連續(xù)的等。本發(fā)明能夠讓NFTL算法在MLC和TLCNANDFlash上適配，解決NFTL管理算法不能較好適配高工藝NANDFlash的問題，對開發(fā)高速存儲設(shè)備具有實(shí)際意義，可廣泛應(yīng)用于存儲設(shè)備的NANDFlash的管理等。??