基于磁性隧道結(jié)的電壓轉(zhuǎn)換高電平隔離單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110964930.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113422601A 公開（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113422601A 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) H03K19/0175（2006.01）I;H03K19/003（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 毛欣;吳忠潔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海靈動(dòng)微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳珊;成春榮
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)張江鎮(zhèn)科苑路399號(hào)10幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝嘶诖判运淼澜Y(jié)的電壓轉(zhuǎn)換高電平隔離單元，包括：連接于高電壓源和地端之間的第一反相器、傳輸門和第四反相器，連接于低電壓源和地端之間的第二反相器和第三反相器，及基于磁性隧道結(jié)的高電平隔離單元。高電平隔離單元包括第一PMOS晶體管、第一和第二NMOS晶體管、第五反相器、電阻和磁性隧道結(jié)。本申請(qǐng)可以中兩組電壓源都掉電后，磁性隧道結(jié)的信號(hào)可以一直保持并由外部讀出電路讀出，從而實(shí)現(xiàn)隔離鎖存高電平的作用。