一種氣體注入插件及襯底處理設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111565371.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114395798A 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN114395798A 申請公布日 2022-04-26
分類號 C30B25/10（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉自強;燕春;楊進 申請（專利權(quán)）人 江蘇天芯微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱成之;張靜潔
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)行創(chuàng)四路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氣體注入插件及襯底處理設(shè)備，所述氣體注入插件包括頂板及底板，所述底板與頂板相對設(shè)置，所述底板與頂板均包括設(shè)置于兩端的進氣端和出氣端，所述出氣端與反應(yīng)腔一側(cè)的氣體入口連接；第一側(cè)壁及第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁及第二側(cè)壁分別設(shè)置于頂板和底板的兩側(cè)，所述第一側(cè)壁靠近反應(yīng)腔側(cè)邊緣的一側(cè)；至少兩個氣體通道，所述氣體通道包括設(shè)置在靠近反應(yīng)腔側(cè)邊緣的邊緣氣體通道，所述邊緣氣體通道具有設(shè)置于進氣端的進氣口和設(shè)置于出氣端的出氣口，所述進氣口的截面積和出氣口的截面積不相同。本發(fā)明改變了工藝氣體在襯底的側(cè)邊緣區(qū)域的流速，改善了襯底側(cè)邊緣區(qū)域的氣流分布。