一種高純?nèi)谆X制備裝置及其使用方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111325211.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114011353A | 公開(公告)日 | 2022-02-08 |
申請公布號 | CN114011353A | 申請公布日 | 2022-02-08 |
分類號 | B01J19/00(2006.01)I;B01D53/86(2006.01)I;B01D53/74(2006.01)I;B01D3/14(2006.01)I;B01D3/00(2006.01)I;F23G7/06(2006.01)I;C07F5/06(2006.01)I | 分類 | 一般的物理或化學的方法或裝置; |
發(fā)明人 | 郭之軍;蔣飚;趙和英;黃學芳;宋鴻睿;張光祥;劉幫偉;蔡金剛 | 申請(專利權)人 | 貴州威頓晶磷電子材料股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 貴陽春秋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 李萬強 |
地址 | 550000貴州省貴陽市白云區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高純?nèi)谆X制備裝置及其使用方法,高純?nèi)谆X制備裝置由四個系統(tǒng)組成,分別是鈉還原提純系統(tǒng)、物理層析過濾裝置、精餾提純系統(tǒng)和光催化尾氣吸收槽;其中鈉還原提純系統(tǒng)由提純釜和油浴槽組成;精餾提純系統(tǒng)由終餾釜和初餾釜組成;物理層析過濾裝置具體為粒徑1μm?2μm活性炭構(gòu)成上層、粒徑0.5μm?0.8μm的奧氏體不銹鋼微粒構(gòu)成中層、粒徑0.1μm?0.2μm的氧化鋁粉末構(gòu)成底層的三層層析裝置;光催化尾氣吸收槽內(nèi)的處理液為二氧化氫與二氧化鈦按質(zhì)量比200:1?2的質(zhì)量比混合并維持攪拌均勻的混濁液。該高純?nèi)谆X制備裝置制備產(chǎn)品純度高、穩(wěn)定性好、工藝易控可控、尾氣處理干凈完全。 |
