一種磁場增強(qiáng)的等離子體槍

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201120062558.4 申請日 -
公開（公告）號 CN202103932U 公開（公告）日 2012-01-04
申請公布號 CN202103932U 申請公布日 2012-01-04
分類號 H05H1/26(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 鄭順奇;齊偉光;倪楊 申請（專利權(quán)）人 寧波表面工程研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 315177 浙江省寧波市鄞州區(qū)古林鎮(zhèn)科創(chuàng)南路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種磁場增強(qiáng)的等離子體槍，其包括一個(gè)絕緣體容器，所述絕緣體容器具有氣體導(dǎo)入口以及與所述氣體導(dǎo)入口相對的尖端開口作為氣體導(dǎo)出口，絕緣體容器內(nèi)部配置有電極，所述電極與所述絕緣體容器外部的交流電源相連，當(dāng)所述電極通電后在尖端開口處產(chǎn)生等離子體，在尖端開口外側(cè)設(shè)置有磁石以產(chǎn)生磁場增強(qiáng)等離子體，該設(shè)備能夠在大氣中以極簡單的方式實(shí)施輝光等離子體放電表面處理，適用于各種材料的各種表面處理，尤其適用于特別局部的，如點(diǎn)狀表面處理，同時(shí)由于磁場的引入，等離子體放電被增強(qiáng)。