一種硅基MEMS晶圓多焦點激光切割系統(tǒng)及切割方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710721276.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107529467B 公開（公告）日 2019-10-25
申請公布號 CN107529467B 申請公布日 2019-10-25
分類號 H01L21/67;B23K26/38;B23K26/70;B23K101/36 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃永忠;何劉;王曉峰;潘嶺峰;聞永祥;王玨 申請（專利權(quán)）人 成都萊普科技股份有限公司
代理機構(gòu) 成都九鼎天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 成都萊普科技有限公司
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)科院三路4號火炬時代大廈A區(qū)13-5
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅基MEMS晶圓多焦點激光切割系統(tǒng)及切割方法，屬于集成電路和微機電系統(tǒng)物聯(lián)網(wǎng)傳感器領(lǐng)域，它包括激光器、光學系統(tǒng)和樣品位移系統(tǒng)；所述激光器，用于發(fā)射激光，形成所述激光退火裝置需要的光源；所述光學系統(tǒng)，用于將所述激光器發(fā)射的激光整形為多焦點光斑并聚焦到硅基MEMS晶圓內(nèi)部；所述樣品位移系統(tǒng)，用于放置被切割硅基MEMS晶圓，并調(diào)整所述硅基MEMS晶圓的位置。使用該系統(tǒng)的切割方法相比現(xiàn)有技術(shù)具有操作靈活方便、技術(shù)先進，具有一次操作便能將硅基MEMS晶圓切割成型的特點，相比于現(xiàn)有技術(shù)更方便，效率極大提高。