一種高介電聚酰亞胺/鈦酸銅鈣納米線復合材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310353210.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103396548B 公開（公告）日 2015-09-16
申請公布號 CN103396548B 申請公布日 2015-09-16
分類號 C08G73/10(2006.01)I;C08K7/08(2006.01)I;C08K3/24(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I 分類 有機高分子化合物；其制備或化學加工；以其為基料的組合物;
發(fā)明人 楊陽;熊銳;劉雍;石兢;石彬;牛牧;林晶 申請（專利權(quán)）人 武漢一海數(shù)字醫(yī)療科技股份有限公司
代理機構(gòu) 武漢科皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 武漢一海數(shù)字工程有限公司;武漢一海數(shù)字醫(yī)療科技股份有限公司
地址 430206 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道818號高科醫(yī)療器械園B8-A4
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高介電聚酰亞胺/鈦酸銅鈣納米線復合材料的制備方法，該方法是以聚合物為基質(zhì)制備，將鈦酸銅鈣納米線在無水乙醇中進行超聲分散之后，與聚酰亞胺單體共混于溶劑中，然后在室溫下使單體進行原位聚合反應，同時實現(xiàn)聚酰亞胺的共聚以及與鈦酸銅鈣納米線的插層復合，所得的原液采用涂膜法，經(jīng)過梯度退火即得到聚酰亞胺/CCTO納米線復合薄膜。使用本發(fā)明方法制備的聚酰亞胺/鈦酸銅鈣納米線復合材料與純的聚酰亞胺相比，其介電常數(shù)提高25倍，且具有較低的介質(zhì)損耗（0.015），在高儲能電容器、人造器官以及高速集成電路等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。