MOCVD沉積物的清理裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011293027.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112410755A 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN112410755A 申請公布日 2021-02-26
分類號 C23C16/44(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉鋒;韓曉翠;鄭遠(yuǎn)志;陳向東 申請（專利權(quán)）人 馬鞍山杰生半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華智則銘知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 沈抗勇
地址 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及清理裝置技術(shù)領(lǐng)域，且公開了MOCVD沉積物的清理裝置，包括底座、反應(yīng)腔和腔蓋，反應(yīng)腔固定設(shè)置于底座的上表面，腔蓋設(shè)置于反應(yīng)腔的頂部，底座的上表面中心處固定設(shè)有U型支撐板，U型支撐板的內(nèi)部設(shè)有旋轉(zhuǎn)板，旋轉(zhuǎn)板的側(cè)壁通過轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動設(shè)置于U型支撐板的內(nèi)部，旋轉(zhuǎn)板的上側(cè)固定設(shè)有反應(yīng)臺，底座的上表面左側(cè)固定設(shè)有第一U型塊，第一U型塊的內(nèi)部通過第一軸銷轉(zhuǎn)動設(shè)置有氣缸，氣缸的活塞桿末端通過第二軸銷轉(zhuǎn)動設(shè)置有第二U型塊，第二U型塊固定設(shè)置于反應(yīng)臺的下表面左側(cè)，反應(yīng)臺的上表面設(shè)有U型刮板。本發(fā)明便于將反應(yīng)后的沉積物清理，降低了工作人員的勞動強(qiáng)度，且不會出現(xiàn)水汽、氧氣等吸附在腔體的表面。??