一種晶圓芯片測(cè)試方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810320694.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN108693456B | 公開(公告)日 | 2021-07-20 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108693456B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-20 |
分類號(hào) | G01R31/26;G01R31/28 | 分類 | 測(cè)量;測(cè)試; |
發(fā)明人 | 姚禹;鄭遠(yuǎn)志;陳向東;梁旭東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 馬鞍山杰生半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 楊澤;劉芳 |
地址 | 243000 安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)寶慶路399號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種晶圓芯片測(cè)試方法。包括如下步驟:對(duì)第一晶圓芯片進(jìn)行全比例測(cè)試,得到第一測(cè)試數(shù)據(jù);其中,第一晶圓芯片位于未經(jīng)減薄和切割的晶圓上,晶圓能切割成多個(gè)第一晶圓芯片;對(duì)第二晶圓芯片進(jìn)行全比例測(cè)試,得到第二測(cè)試數(shù)據(jù);其中,第二晶圓芯片為對(duì)第一晶圓芯片減薄和切割后所得到的;對(duì)相對(duì)應(yīng)的第一晶圓芯片的第一測(cè)試數(shù)據(jù)和第二晶圓芯片的第二測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行合檔處理,得到第三測(cè)試數(shù)據(jù)。本發(fā)明提供的晶圓芯片測(cè)試方法,第三測(cè)試數(shù)據(jù)中的電學(xué)數(shù)據(jù)源自第二測(cè)試數(shù)據(jù)中第二電學(xué)數(shù)據(jù),可以真實(shí)表征晶圓切割后的良率狀況;第三測(cè)試數(shù)據(jù)中的光學(xué)數(shù)據(jù)源自第一測(cè)試數(shù)據(jù)中的第一光學(xué)數(shù)據(jù),解決了晶圓芯片無法偵測(cè)芯片真實(shí)光學(xué)參數(shù)的問題。 |
