一種納米硅磷漿及其制備方法和應用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310397907.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103489932B | 公開(公告)日 | 2016-03-30 |
申請公布號 | CN103489932B | 申請公布日 | 2016-03-30 |
分類號 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉國鈞;萬劍;沈曉東;蔣紅彬;成漢文;沈曉燕;楊曉旭 | 申請(專利權)人 | 蘇州金瑞晨科技有限公司 |
代理機構 | 北京同恒源知識產權代理有限公司 | 代理人 | 劉憲池 |
地址 | 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)吳中經濟開發(fā)區(qū)澄湖東路5號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種納米硅磷漿的組成及其制備方法,還公開了使用該納米硅磷漿生產正面接觸p型太陽能電池的應用方法以及生產出的太陽能電池的結構;所述納米硅磷漿用絲網印刷方法印在涂有氮化硅減反射膜的太陽能電池硅片上面,在燒結正面銀漿金屬電極時,納米硅磷漿穿透氮化硅(SiNx)減反射膜,使納米硅直接與硅片基板接觸;納米硅磷漿釋放磷原子擴散到硅片中對漿體覆蓋區(qū)域進行摻雜,增加覆蓋區(qū)發(fā)射極厚度,進一步防止p/n結被燒穿;燒結完成后,納米硅與銀共晶析出,銀柵線與硅基板形成良好的歐姆接觸,增強銀柵線的附著力;所述方法簡化太陽能電池生產步驟。 |
