一種納米硅磷漿及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310397907.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103489932B 公開（公告）日 2016-03-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103489932B 申請(qǐng)公布日 2016-03-30
分類號(hào) H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉國(guó)鈞;萬劍;沈曉東;蔣紅彬;成漢文;沈曉燕;楊曉旭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州金瑞晨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉憲池
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)吳中經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)澄湖東路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種納米硅磷漿的組成及其制備方法，還公開了使用該納米硅磷漿生產(chǎn)正面接觸p型太陽能電池的應(yīng)用方法以及生產(chǎn)出的太陽能電池的結(jié)構(gòu)；所述納米硅磷漿用絲網(wǎng)印刷方法印在涂有氮化硅減反射膜的太陽能電池硅片上面，在燒結(jié)正面銀漿金屬電極時(shí)，納米硅磷漿穿透氮化硅（SiNx)減反射膜，使納米硅直接與硅片基板接觸；納米硅磷漿釋放磷原子擴(kuò)散到硅片中對(duì)漿體覆蓋區(qū)域進(jìn)行摻雜，增加覆蓋區(qū)發(fā)射極厚度，進(jìn)一步防止p/n結(jié)被燒穿；燒結(jié)完成后，納米硅與銀共晶析出，銀柵線與硅基板形成良好的歐姆接觸，增強(qiáng)銀柵線的附著力；所述方法簡(jiǎn)化太陽能電池生產(chǎn)步驟。