一種納米硅銀漿及其制備方法以及應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310397906.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103489499B | 公開(公告)日 | 2017-01-25 |
申請公布號 | CN103489499B | 申請公布日 | 2017-01-25 |
分類號 | H01B1/16(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉國鈞;萬劍;成漢文;蔣紅彬;沈曉燕;沈曉東 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州金瑞晨科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蘇州金瑞晨科技有限公司 |
地址 | 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)吳中經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)澄湖東路5號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種納米硅銀漿及其制備方法以及該納米硅銀漿在生產(chǎn)正面接觸p型太陽能電池時的應(yīng)用方法以及生產(chǎn)出的太陽能電池的結(jié)構(gòu),所述納米硅銀漿在燒結(jié)太陽能電池金屬電極時,納米硅銀漿中的添加劑刻蝕氮化硅(SiNx)減反射膜,使?jié){體直接與硅片基板接觸;同時,納米硅顆粒與銀漿形成低溫共融物,防止金屬銀穿透發(fā)射極,破壞p/n結(jié);添加劑同時釋放磷原子擴(kuò)散到硅片中對納米硅銀漿覆蓋區(qū)域進(jìn)行摻雜,燒結(jié)完成后,納米硅與銀共晶析出,增強(qiáng)銀柵線粘附力,同時也簡化了生產(chǎn)步驟。 |
