一種具有硅氫殼層納米球硅的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310194669.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103241740B 公開（公告）日 2015-05-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN103241740B 申請(qǐng)公布日 2015-05-27
分類號(hào) C01B33/021(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 沈曉東;劉國(guó)鈞;唐云俊;楊小旭;蔣紅彬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州金瑞晨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州金瑞晨科技有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)吳中經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)澄湖東路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采取兩步法制備高純度、粒徑分布均一且具有硅氫保護(hù)殼層的納米球硅的制備方法：第一步，先通過(guò)電弧等離子體的方法制得尺寸規(guī)整、分布均一的微米級(jí)硅粒，不引入雜質(zhì)；第二步，通過(guò)酸性有機(jī)組合物進(jìn)一步去除微米硅表面氧化物，通過(guò)碾蝕作用得到納米球硅，且同時(shí)發(fā)生接枝反應(yīng)形成硅氫保護(hù)殼層。本發(fā)明所述制備方法制得的納米球硅保證了初始尺寸和尺寸分布的均一性，而且納米球硅表面的硅氫保護(hù)殼層可增強(qiáng)納米硅的抗氧化性，有效解決團(tuán)聚問(wèn)題。