納米硅硼漿及其應用于制備全屏蔽硼背場的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310739043.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103714879B 公開（公告）日 2016-08-17
申請公布號 CN103714879B 申請公布日 2016-08-17
分類號 H01B1/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉國鈞;將紅彬;萬劍;沈曉燕;程亮;沈曉東 申請（專利權）人 蘇州金瑞晨科技有限公司
代理機構 北京同恒源知識產權代理有限公司 代理人 蘇州金瑞晨科技有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市吳中區(qū)吳中經濟開發(fā)區(qū)澄湖東路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了納米硅硼漿及其應用于制備全屏蔽硼背場的工藝，在普通電池生產工藝的基礎上，加入印刷本發(fā)明所述納米硅硼漿形成具有“全屏蔽”效果的硼背場，以代替現(xiàn)有鋁背場，解決了鋁背場帶來的硅片翹曲，減少碎片提高良品率；另外，硼背場的電場強度比鋁背場高，更有效地阻止光生載流子溢出硅片表面或界面發(fā)生復合。同時，納米硅硼漿中的硅粒發(fā)生交聯(lián)，并形成一層致密結構牢牢粘連在硅片基板上，有效地防止硼、磷擴散相互干擾。