一種真空水冷腔體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320172643.5 申請日 -
公開（公告）號 CN203222631U 公開（公告）日 2013-10-02
申請公布號 CN203222631U 申請公布日 2013-10-02
分類號 C30B35/00(2006.01)I;F27D1/12(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;吳智洪;劉自強 申請（專利權）人 常州恒嘉半導體科技有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 上海昀豐光電技術有限公司
地址 上海市浦東新區(qū)張江高科技產業(yè)東區(qū)勝利路836號7幢甲
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種真空水冷腔體，應用于高真空晶體生長設備中，包括腔體壁和冷卻水通道，所述冷卻水通道開設于所述腔體壁內。由于直接在腔體壁中開設了冷卻水通道，腔體壁材料直接作為冷卻水通道的外壁，這就杜絕了冷卻水向外泄露的現象，并且可以有效防止冷卻水在流道內的竄水現象，從而使冷卻水沿著冷卻通道由入口一直沿著預設的冷卻水通道流至出口，進而形成對真空水冷腔體有效的冷卻，提高冷卻水對水冷腔體的冷卻效果。