一種真空水冷腔體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320172643.5 申請日 -
公開（公告）號 CN203222631U 公開（公告）日 2013-10-02
申請公布號 CN203222631U 申請公布日 2013-10-02
分類號 C30B35/00(2006.01)I;F27D1/12(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐永亮;吳智洪;劉自強 申請（專利權(quán)）人 常州恒嘉半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海昀豐光電技術(shù)有限公司
地址 上海市浦東新區(qū)張江高科技產(chǎn)業(yè)東區(qū)勝利路836號7幢甲
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種真空水冷腔體，應(yīng)用于高真空晶體生長設(shè)備中，包括腔體壁和冷卻水通道，所述冷卻水通道開設(shè)于所述腔體壁內(nèi)。由于直接在腔體壁中開設(shè)了冷卻水通道，腔體壁材料直接作為冷卻水通道的外壁，這就杜絕了冷卻水向外泄露的現(xiàn)象，并且可以有效防止冷卻水在流道內(nèi)的竄水現(xiàn)象，從而使冷卻水沿著冷卻通道由入口一直沿著預(yù)設(shè)的冷卻水通道流至出口，進而形成對真空水冷腔體有效的冷卻，提高冷卻水對水冷腔體的冷卻效果。