應(yīng)用于高壓電路防靜電保護(hù)的無回滯效應(yīng)硅控整流器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811064488.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109273532B 公開（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN109273532B 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱天志 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 智云
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)高斯路568號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種應(yīng)用于高壓電路防靜電保護(hù)的無回滯效應(yīng)硅控整流器，包括：硅基襯底；N阱和P阱，設(shè)置在硅基襯底上，并在界面處設(shè)置P型重?fù)诫s區(qū)；第一P型重?fù)诫s區(qū)與第一N型重?fù)诫s區(qū)，間隔設(shè)置在N阱上，且第一P型重?fù)诫s區(qū)與第一N型重?fù)诫s區(qū)之間為未設(shè)置淺溝槽隔離的有源區(qū)；第二P型重?fù)诫s區(qū)與第二N型重?fù)诫s區(qū)，間隔設(shè)置在P阱上，并在之間設(shè)置第一淺溝槽隔離；第二淺溝槽隔離，設(shè)置在第一N型重?fù)诫s區(qū)與P型重?fù)诫s區(qū)之間；第三淺溝槽隔離，設(shè)置在第二N型重?fù)诫s區(qū)與P型重?fù)诫s區(qū)之間；陽極，與第一P型重?fù)诫s區(qū)和第一N型重?fù)诫s區(qū)電連接；陰極，與第二P型重?fù)诫s區(qū)與第二N型重?fù)诫s區(qū)電連接。本發(fā)明在滿足無回滯效應(yīng)的功能下，實(shí)現(xiàn)器件版面結(jié)構(gòu)之小型化，值得業(yè)界推廣應(yīng)用。