半導(dǎo)體器件的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910450593.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110085516B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN110085516B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田志;李娟娟;陳昊瑜;邵華 申請（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 屈蘅
地址 201315上海市浦東新區(qū)良騰路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括；在所述襯底上形成氧化層和浮柵層；刻蝕所述浮柵層、所述氧化層和所述襯底形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；刻蝕所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的邊緣部分；在剩余的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成ONO層；在所述ONO層上形成控制柵層。在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件的形成方法中，形成的ONO層具有臺階，但是臺階的垂直部分與浮柵層中間具有一定厚度的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，因此臺階的垂直部分不具有電容值，因此也不會影響到實際的ONO層的電容值。這種形成方法中，提高了測得的實際ONO值準(zhǔn)確度，從而提高了ONO厚度的測量的準(zhǔn)確度。