一種垂直柵CMOS圖像傳感器及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911133006.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110828497B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN110828497B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田志;李娟娟;邵華;陳昊瑜 申請（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201203上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)高斯路568號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直柵CMOS圖像傳感器及制造方法，位于外延層上的轉(zhuǎn)移管以及該轉(zhuǎn)移管一側(cè)、外延層中的光電二極管；轉(zhuǎn)移管的垂直柵伸入外延層中并延伸至光電二極管所在的深度；位于外延層上、轉(zhuǎn)移管另一側(cè)的復(fù)位管；該復(fù)位管柵極兩側(cè)的外延層中分別設(shè)有N+區(qū)；其中一個與轉(zhuǎn)移管相鄰的N+區(qū)域形成浮動擴散點；轉(zhuǎn)移管的垂直柵靠近所述光電二極管的區(qū)域呈凸面，靠近所述浮動擴散點的區(qū)域呈凹面。本發(fā)明形成靠近光電二極管區(qū)域易于收集的凸面，以及靠近浮動擴散點附近易于形成電子聚集效果的凹面，可以盡最大面積收集電子，朝浮動擴散點轉(zhuǎn)移時集中轉(zhuǎn)移，降低損失。從而實現(xiàn)電子從轉(zhuǎn)移的多面性到收集的聚集性的全面改善。