NANDFlash疊層結(jié)構(gòu)柵極制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111376060.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114220814A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220814A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) H01L27/115（2017.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11529（2017.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許鵬凱;喬夫龍;孫文彥 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 焦天雷
地址 201203上海市浦東新區(qū)高斯路568號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種NAND Flash疊層結(jié)構(gòu)柵極制造方法，包括：第一次生長(zhǎng)控制柵多晶硅之后，沉積氧化硅；光刻曝光選擇柵極和外圍柵極區(qū)域需移除層間介質(zhì)層的區(qū)域；層間介質(zhì)層刻蝕，去除選擇柵極和外圍柵極頂部曝開(kāi)區(qū)域的氧化硅層、第一次生長(zhǎng)的控制柵多晶硅和層間介質(zhì)層，直至浮柵多晶硅；第二次生長(zhǎng)控制柵多晶硅，第二次生長(zhǎng)后的控制柵多晶硅底面至少與所述氧化硅層頂面持平；去除高于氧化硅層的第二次生長(zhǎng)后的控制柵多晶硅；去除全部氧化硅；第三次生長(zhǎng)控制柵多晶硅，使最終控制柵多晶硅的總厚度為設(shè)計(jì)厚度。采用本發(fā)明的工藝方法選擇柵極和外圍柵極的多晶硅表面不再有明顯的凹凸不平的情況，從而可以顯著增加后續(xù)的工藝窗口，并增加整個(gè)工藝流程的窗口。