SOI二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811632266.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109599441B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109599441B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/861（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 浦珺慧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王江富
地址 201203上海市浦東新區(qū)高斯路568號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種SOI二極管,硅襯底層的中部上方形成有二氧化硅中間層；二氧化硅中間層上方形成有上部硅層；上部硅層沿橫向?yàn)橐来梧徑拥纳喜縋型注入?yún)^(qū)、體區(qū)及上部N型注入?yún)^(qū)；上部硅層、二氧化硅中間層在橫向與硅襯底層由淺溝槽隔離區(qū)隔離；多晶硅柵形成于體區(qū)正上方，并且通過(guò)絕緣介質(zhì)層同上部硅層隔離；上部P型注入?yún)^(qū)側(cè)的硅襯底層形成有襯底P型注入?yún)^(qū)，并且上部P型注入?yún)^(qū)同襯底P型注入?yún)^(qū)互聯(lián)短接；上部N型注入?yún)^(qū)側(cè)的硅襯底層形成有襯底N型注入?yún)^(qū)，并且上部N型注入?yún)^(qū)同襯底N型注入?yún)^(qū)互聯(lián)短接。本發(fā)明的SOI二極管，具有較小器件尺寸和較低導(dǎo)通電阻。