一種標準單元庫及襯底連接單元的版圖結(jié)構(gòu)設(shè)計方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111436023.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114156265A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156265A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L27/02（2006.01）I;G06F30/392（2020.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高唯歡 申請（專利權(quán)）人 上海華力微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周耀君
地址 201315上海市浦東新區(qū)良騰路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種標準單元庫的版圖結(jié)構(gòu)設(shè)計方法，包括：確定標準單元庫中標準單元和襯底連接單元的版圖設(shè)計基本參數(shù)，所述襯底連接單元用于為標準單元提供襯底電壓；根據(jù)所述襯底連接單元的版圖設(shè)計基本參數(shù)和襯底連接單元的版圖設(shè)計規(guī)則，確定所述襯底連接單元的版圖結(jié)構(gòu)；所述標準單元庫的版圖結(jié)構(gòu)設(shè)計方法，進一步包括：確定標準單元庫中標準單元的高度；確定電源線軌道設(shè)計方法；確定地線軌道設(shè)計方法；確定中線位置；確定P型注入?yún)^(qū)域；確定N型注入?yún)^(qū)域。本發(fā)明會使得單元高度限制明顯減少，所述限制包括：N/P型注入?yún)^(qū)到N/P注入層的最小距離L1，N/P型注入?yún)^(qū)的最小寬度L2，則其最小高度為3L1+L2，可適應(yīng)更低的標準單元庫高度和更先進的工藝。