雙向氣流的硅晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200920187003.5 申請日 -
公開（公告）號 CN201485533U 公開（公告）日 2010-05-26
申請公布號 CN201485533U 申請公布日 2010-05-26
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬四海;張笑天 申請（專利權(quán)）人 蕪湖昊陽光能股份有限公司
代理機構(gòu) 安徽合肥華信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 余成俊
地址 241100 安徽省蕪湖縣機械工業(yè)園朝陽路一號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種雙向氣流的硅晶體生長裝置，包括有爐體，爐體內(nèi)腔中置有筒形的加熱器，加熱器底部的兩個電極分別嵌入爐體的底部，加熱器內(nèi)腔中設(shè)置有石墨坩堝，石墨坩堝通過穿過爐體底部的連桿支撐固定，爐體的上口擱置有可伸入到石墨坩堝內(nèi)腔中的導(dǎo)流筒，所述的爐體頂部的側(cè)壁上開有排氣口，且底部開有氬氣進(jìn)口，所述的排氣口與氬氣進(jìn)口通過加熱器內(nèi)壁與石墨坩堝外壁之間的空隙聯(lián)通，爐體外套裝有導(dǎo)氣筒，導(dǎo)氣筒的底部側(cè)壁開有出氣口，出氣口與排氣口之間通過所述的導(dǎo)氣筒與爐體之間的空隙聯(lián)通。本實用新型采用雙向氣流，可以降低熱場內(nèi)部有害氣體對石墨件的腐蝕，減少了氧與石墨的接觸面積及時間，使得硅液表面的氧碳化合無及有害氣體在下部氣體的流向帶動下迅速帶離熱系統(tǒng)，有效控制了晶體中的碳含量。