單晶爐用溫度過渡環(huán)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201220533280.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN202913083U | 公開（公告）日 | 2013-05-01 |
| 申請公布號 | CN202913083U | 申請公布日 | 2013-05-01 |
| 分類號 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 梁仁和;李宗仁;趙婷瑋 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京京儀世紀電子股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100079 北京市豐臺區(qū)永外宋家莊葦子坑2號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及單晶爐用熱系統(tǒng)，具體是在單晶爐熱系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中加入了一個溫度過渡環(huán)，它在整個熱系統(tǒng)中放置于保溫蓋上部，厚度為10mm，溫度過渡環(huán)的內(nèi)徑和高度在不影響硅單晶爐觀察窗視線的情況下，內(nèi)徑越小越好，高度越高越好，但內(nèi)徑不能小于保溫蓋的內(nèi)口徑，高度不能高于硅單晶爐主室的上沿高度，通過加入溫度過渡環(huán)，可以使處于保溫蓋以外的單晶棒的溫度更加緩慢的下降，減小由于溫度變化太大給單晶棒帶來的熱應(yīng)力，提高單晶棒的質(zhì)量和成品率。 |
