一種P型鈍化接觸太陽(yáng)能電池的制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011268541.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112397613A | 公開（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112397613A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 康海濤;趙建飛;胡燕;吳中亞;郭萬(wàn)武;張燕飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中建材浚鑫（桐城）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫睿升知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 姬穎敏 |
| 地址 | 231400安徽省安慶市桐城市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)北3路 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種P型鈍化接觸太陽(yáng)能電池的制作方法；其特征在于：包括以下步驟：表面織構(gòu)步驟，高溫?cái)U(kuò)散步驟，刻蝕及拋光步驟，背面薄膜制備步驟，正面去除介質(zhì)步驟，正面二氧化硅制備步驟，正背面制備步驟，正背面制備步驟具體包括：正面氮化硅制備步驟，采用原子層沉積設(shè)備在P型硅片的正面制備氮化硅層；背面氮化硅制備步驟，采用原子層沉積設(shè)備在P型硅片的背面制備氮化硅層；電極制備步驟，通過絲網(wǎng)印刷機(jī)分別制備正面電極和背面電極，收集電流，經(jīng)過燒結(jié)后得到成品。解決了現(xiàn)有方案造成的產(chǎn)生嚴(yán)重的寄生吸收效應(yīng)，不能充分利用太陽(yáng)光中的短波波段，導(dǎo)致光生電流降低，限制電池光電轉(zhuǎn)換的效率等問題。?? |
