一種PERC雙面太陽能電池及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011271350.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112382672A | 公開（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申請公布號 | CN112382672A | 申請公布日 | 2021-02-19 |
| 分類號 | H01L31/0216(2014.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 康海濤;胡燕;吳中亞;趙建飛;郭萬武;張燕飛 | 申請（專利權(quán)）人 | 中建材浚鑫（桐城）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫睿升知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 姬穎敏 |
| 地址 | 231400安徽省安慶市桐城市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)北3路 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種PERC雙面太陽能電池及其制作方法；其特征在于：包括正面電極、背面電極，P型硅片基底，所述P型硅片基底的一面由內(nèi)向外依次設(shè)置有N型摻雜層、正面二氧化硅層和正面氮化硅層，所述P型硅片基底的另一面由內(nèi)向外依次設(shè)置有背面氧化鋁層、背面氮化硅層和背面二氧化硅層；所述正面電極依次穿過所述正面氮化硅層和所述正面二氧化硅層；所述正面電極與所述N型摻雜層連接；所述背面電極依次穿過所述背面二氧化硅層、所述背面氮化硅層和所述背面氧化鋁層；所述背面電極與所述P型硅片基底連接。解決了現(xiàn)有方案造成的無法從根本上消除黑斑、黑點(diǎn)的產(chǎn)生，加大了硅片的制造成本等問題。?? |
