微發(fā)光二極管晶粒的定位和去除方法及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011450264.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112582294A 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN112582294A 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L21/67(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃朝葵;于波;李慶;韋冬 申請（專利權(quán)）人 蘇州芯聚半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 常偉
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)通園路666號B幢2樓2007
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種微發(fā)光二極管晶粒定位和去除方法和設(shè)備，所述微發(fā)光二極管晶粒定位和去除方法包括：S1、獲取襯底上的多個微發(fā)光二極管晶粒的測試文檔，所述測試文檔包括每一微發(fā)光二極管晶粒的相對坐標(biāo)位置及光電性能測試結(jié)果；S2、依據(jù)所述光電性能測試結(jié)果，將每一微發(fā)光二極管晶粒標(biāo)記為第一代碼或者第二代碼；S3、更新所述第一代碼和所述第二代碼至所述測試文檔中；以及S4、讀取更新后的所述測試文檔中的所述第一代碼，獲得與所述第一代碼對應(yīng)的一個或多個微發(fā)光二極管晶粒的相對坐標(biāo)位置；其中，所述第一代碼和所述第二代碼相異。??